東京エレクトロン(TEL)は、300mmプロセス対応ALD(Atomic Layer Deposition)成膜装置「NT333」を製品化し、2012年10月より受注を開始すること発表した。 同装置は、従来のALD手法とは異なるコンセプトを用いることで、反応ガスの十分な吸着・酸化による原子レベルでの ...

みなさんこんにちは！今日は、東北大学らが発表した電子機器内の熱流を自在に制御できるメカニズムを発見したという論文が興味深かったので、取り上げたいと思います💡 今回の発表の概要は以下の通りです👇 ・絶縁膜の熱の流れを自在に制御できる ...

『表面技術』2023年3月号を読んでいます。 読んだ記事について、気になったポイントをメモしておきたいと思います。 ALDを使って製膜した酸化物で電子デバイスを作製、評価した内容が紹介されています。 HfSiOx膜を用いたGaNキャパシタ 炭素ドープInOx系酸化 ...