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産総研など、GeとInGaAsを用いたCMOSインバータの動作を実証

産業技術総合研究所(産総研)は6月10日、住友化学と共同で、大規模集積回路の消費電力低減に有効な、Ge p型MOSFET(pMOSFET)とInGaAs n型MOSFET(nMOFSET)によって構成されるCMOSインバータを試作し、その動作を実証したと発表した。 同成果は、同所 ナノ ...