「IEDM 2010」の最終日である12月8日のセッションが完了した。最終日には、高性能プロセッサの基礎技術である次世代CMOSロジックと、大容量メモリの基礎技術である次世代NANDフラッシュメモリの開発成果が披露された。各講演の概要をご報告したい。 22nm ...

最先端半導体チップの開発成果を競う「ISSSCC 2009」では10日、フラッシュメモリのセッションが開催された。 64GbitのNANDフラッシュを試作 ここでは米SanDiskと東芝の共同開発グループが、1個のメモリセルに4bitのデータを記憶させる大容量NANDフラッシュ ...

図1.6 はCMOS Staticインバータの回路図である。電源Vddと出力Xの間にPMOS(P型MOSFET)トランジスタ"p1"があり、出力Xとグランド(接地)Vss の間にNMOS(N型MOSFET)トランジスタ"n1"がある。これらのトランジスタは一般には対称的に作られているが、動作上は、Vdd、および ...

Kioxia announced it will begin mass production of its ninth-generation NAND flash memory in fiscal year 2025, which runs from April 2025 to March 2026. The Japanese memory maker also began shipping ...

日の丸半導体が凋落して久しいが、個別に見れば日本勢が存在感を発揮している分野も残っている。NAND（ナンド）型フラッシュメモリの東芝と、CMOS（シーモス）のソニーだ。海外勢と激しい設備投資競争を繰り広げている両社については、東芝が最新の ...

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