3D NANDフラッシュメモリの高層化が止まらない。2013年に24層(ワード線の積層数)で始まった3D NANDフラッシュメモリの積層数は、9年後の2022年には約10倍の236層に達した。翌年(2023年)には、321層の3D NANDフラッシュメモリ(以降は3D NANDフラッシュと表記)の開発が ...

256×256のセルアレイはN5でのシミュレーションによると2GHz (N5による高密度SRAMセルの95%の周波数)で読み書き動作する。 メモリ技術 (DRAM)の注目講演。 公式Webサイトのタイトルと要約から筆者が抜粋したもの ...

第9世代のBiCS FLASH技術は、ウェハボンディング技術を用いて、別々に製造したCMOS回路のウェハとメモリセルアレイのウェハを貼り合わせるCBA (CMOS directly Bonded to Array)技術を活用し、既存のセル技術 (第5世代の112層ならびに第8世代の218層)と最新のCMOS技術を融合させ、投資コストを抑えつつ高性能を実現したもの。

SK Hynixは、176層512MビットTLC 4D NANDフラッシュメモリの開発を完了させ、サンプルをコントローラメーカーに出荷したことを明らかにした。 176層3D NANDは、Micron Technologyが先行して発表しており、SK Hynixは2番目の発表となる。NAND業界トップのSamsung Electronicsは ...