12月11日 (現地時間)、IEDM 2007のセッション11「CMOS Devices - High Performance Devices」でLate Newsとして2つの発表があった。そのうちの一つが、AMD、IBMによる「 (110) channel, SiON gate-dielectric PMOS with record high Ion=1mA/μm through channel ...
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