セイコーエプソン株式会社（以下 エプソン）は、高耐圧・大電流に対応するDMOS（Double-Diffused MOSFET）*1に特定用途向けIPコア*2と論理回路を混載し、1チップ化したDMOS-ASIC*3製品の外販ビジネスに参入します。その第一弾として、DMOS-ASIC製品『S1X8H000/S1K8H000 ...

セイコーエプソンは、DMOS-CMOS混載プロセスのASIC事業を始める。電源やモーター駆動に使う高耐圧・大電流のDMOSと、論理処理を担う低消費電力なCMOSを1チップ化することで、機器の小型化や電力効率向上に寄与できるとする。新製品は、IO-Linkなどの通信送受信回路、高電圧スイッチ ...

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、高集積シリコン･ゲート半導体プロセス技術における革新的な業績により、米国電気電子学会（IEEE: Institute of Electrical and Electronics Engineering ...

私たちは犬石研究室でIGBT等のパワー半導体デバイスや高耐圧ICに用いられる横型DMOS(LDMOS),横型IGBT(LIGBT)デバイスの構造及び製造プロセスを研究しています。プロセス・デバイスシミュレーションや回路シミュレーションにより、最適な半導体デバイスの構造 ...