The research group led by Dr. Toshihisa Tomie of The Advanced Semiconductor Research Center (ASRC) of the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) has developed an ...

ロイターは2025年12月18日、中国がEUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）による露光装置の試作機を開発したと報じた（「中国の半導体版『マンハッタン計画』、最先端チップ製造へ試作機完成」）。この開発の中心には、ファーウェイの存在があるとみられている ...

ASMLは、2023年末までに高NA(NA=0.55)EUV露光装置(試作用)の商用1号機を出荷し、2025年には量産機の出荷を開始することを予定している。これにより、顧客は2025年ごろから、NA=0.33の従来型EUV露光装置によるマルチパターニングから高NA EUV露光装置によるシングル ...

長春光学・精密機械・物理研究所は、すでに2002年には中国初のEUVリソグラフィ原理確認装置を開発、0.75nm RMSよりも優れた波面収差を有する2ミラーEUVリソグラフィ対物レンズシステムの開発に成功していた。その後も研究を続け、2017年には32nmプロセス対応 ...

ウシオ電機、EUVリソグラフィマスク検査用EUV光源を量産プロセス向けとして初検収 ― 先行稼働の研究開発機が高評価、EUV事業を加速 ― ウシオ電機株式会社（本社:東京都、代表取締役社長 内藤 宏治、以下 ウシオ）は、この度、検査装置メーカーより受注 ...

静岡・韓国平澤拠点で、EUVレジストとEUV現像液の生産能力を増強 富士フイルム株式会社（本社 : 東京都港区、代表取締役社長・CEO : 後藤 禎一）は、先端半導体の製造プロセスに用いられるネガ型の極端紫外線（EUV）（*1）向けフォトレジスト（以下、EUV ...

EUV(Extreme Ultra-Violet:極端紫外線)露光技術による先端ロジック半導体の量産が、ついにはじまった。今年(2018年)の10月に、Samsung ElectronicsがEUV露光技術を導入した7nm世代の半導体ロジックの生産を開始したと公式に発表した(Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。

先端ロジック半導体の量産に向けた、EUV(Extreme Ultra-Violet : 極端紫外線)露光技術の将来像が見えてきた。7nm世代の技術ノードから量産が今年(2019年)にはじまり、2年～3年の間隔で次世代の技術ノードへと移行する。 すなわち5nm世代の量産開始は2021年、3nm世代 ...

2025年12月、「中国が『EUV（極端紫外線）露光装置』の試作に成功した」というニュースが駆け巡った。 EUV露光装置は、最先端の半導体を製造するためには不可欠で、トップレベルの技術力を示す代名詞のような存在だ。現在、この装置を製造できるのは唯一 ...

半導体の性能を高めてきた回路の“微細化”は一時、限界もささやかれていたが、近年、現行の技術の壁を打ち破る道が開けてきた。微細化に欠かせない製造技術「EUV（極端紫外線）露光」が一段と進化しようとしているのだ。特集『半導体 投資列島』（全 ...

High-NA EUV extends resolution by increasing optical numerical aperture, but at the cost of dramatically more complex and expensive optical systems. The industry is therefore confronting a dual ...