ロイターは2025年12月18日、中国がEUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）による露光装置の試作機を開発したと報じた（「中国の半導体版『マンハッタン計画』、最先端チップ製造へ試作機完成」）。この開発の中心には、ファーウェイの存在があるとみられている ...

ASMLは、2023年末までに高NA(NA=0.55)EUV露光装置(試作用)の商用1号機を出荷し、2025年には量産機の出荷を開始することを予定している。これにより、顧客は2025年ごろから、NA=0.33の従来型EUV露光装置によるマルチパターニングから高NA EUV露光装置によるシングル ...

長春光学・精密機械・物理研究所は、すでに2002年には中国初のEUVリソグラフィ原理確認装置を開発、0.75nm RMSよりも優れた波面収差を有する2ミラーEUVリソグラフィ対物レンズシステムの開発に成功していた。その後も研究を続け、2017年には32nmプロセス対応 ...

ウシオ電機、EUVリソグラフィマスク検査用EUV光源を量産プロセス向けとして初検収 ― 先行稼働の研究開発機が高評価、EUV事業を加速 ― ウシオ電機株式会社（本社:東京都、代表取締役社長 内藤 宏治、以下 ウシオ）は、この度、検査装置メーカーより受注 ...

EUV(Extreme Ultra-Violet:極端紫外線)露光技術による先端ロジック半導体の量産が、ついにはじまった。今年(2018年)の10月に、Samsung ElectronicsがEUV露光技術を導入した7nm世代の半導体ロジックの生産を開始したと公式に発表した(Samsung、EUV 7nm LPPの開発が完了。

静岡・韓国平澤拠点で、EUVレジストとEUV現像液の生産能力を増強 富士フイルム株式会社（本社 : 東京都港区、代表取締役社長・CEO : 後藤 禎一）は、先端半導体の製造プロセスに用いられるネガ型の極端紫外線（EUV）（*1）向けフォトレジスト（以下、EUV ...

Samsung is investing 1.1 trillion won (USD 773 million) in the two high-NA EUV machines Samsung Electronics is expected to receive its first high-numerical-aperture (high-NA) extreme ultraviolet (EUV) ...

ASML has delivered a first-generation Twinscan EXE:5000 High-NA extreme ultraviolet (EUV) lithography scanner to Intel, seven years after Intel first ordered the machine. The High numerical aperture ...

ASML is on track to ship the industry’s first extreme ultraviolet (EUV) lithography scanner with a 0.55 numerical aperture (NA) this year. Company CEO Peter Wennink said that ASML’s Twinscan EXE:5000 ...

KD Market Insightsは、「EUVマスクブランクス市場：将来動向および機会分析（2025～2035年）」と題した市場調査レポートの発刊をお知らせします。本レポートの市場範囲は、現在の市場動向および将来の成長機会に関する情報を網羅しており、読者が十分な情報 ...

Research and innovation hub imec has produced patterned structures obtained after exposure with the 0.55NA EUV scanner in the joint ASML-imec High NA EUV Lithography Lab in Veldhoven, the Netherlands.

The semiconductor equipment giant ASML and electronics research center imec have opened a joint laboratory dedicated to high-numerical aperture (high-NA) extreme ultraviolet (EUV) lithography, seen by ...