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【FETの100年】トランジスタより23年も早く考案されたFETが、実際に ...
2025年(今年)は「FET(Field Effect Transistor: 電界効果トランジスタ)」が誕生してから100周年に当たるという。トランジスタと言えば、1947年12月に通称「ベル研」、厳密には「ベル電話研究所(BTL: Bell ...
If you ever work with a circuit that controls a decent amount of current, you will often encounter a FET – a Field-Effect Transistor. Whether you want to control a couple of powerful LEDs, switch a ...
独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】シリコンナノデバイスグループ 松川 貴 主任研究員、昌原 明植 研究グループ長らは、特性ばらつきが世界最小の14 nm ...
国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 石村 和彦】(以下「産総研」という)デバイス技術研究部門【研究部門長 中野 隆志】 先端CMOS技術研究グループ 張 文馨 (Chang Wen Hsin) 研究員を代表とする日本チーム(産総研と東北大学)と国家実験研究院 ...
北京大学の彭海林(Hailin Peng)教授らの研究チームがビスマスベースの2次元(2D)材料を用いたGAA FET(トランジスタ)を開発した成果が科学誌「Nature Materials」に掲載された。 それによると、研究チームはウェハサイズでのmulti-layer-stacked single-crystalline 2D GAAと呼ぶ ...
*****「電界効果トランジスタ(FET)の世界市場」市場規模・動向・予測レポートを発行 ***** H&Iグローバルリサーチ株式会社(本社:東京都中央区)は、「世界の電界効果トランジスタ(FET)市場」調査レポートを発行・販売します。電界効果トランジスタ ...
Toshiba has launched the TBD62064A series and TBD62308A series of highly efficient transistor arrays, featuring a DMOS FET type sink- output driver. These devices are claimed to be the industry’s ...
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