近年、デジタルトランスフォーメーション（DX）に伴うデータ利活用の拡大や人工知能（AI）技術の普及により、データ量の ...

Sun Storage F5100 Flash Arrayは転送速度12.8Gbps。最大2TバイトまでSSDを搭載できる。 米Sun Microsystemsは10月12日、フラッシュメモリストレージ「Sun Storage F5100 Flash Array」を発表した。Oracle DatabaseおよびMySQLでのワークロード高速化を目指して設計されているという。

前回までSSDを採用した「オールフラッシュストレージ」の特徴と、「Tintri VMstore」の優位性を紹介してきました。最終回では、オールフラッシュストレージのユースケースとともに、SSDとHDDの両方を搭載した「ハイブリッドストレージ」との使い分けについ ...

東芝メモリはフラッシュメモリに関する世界最大のイベント(講演会兼展示会)「Flash Memory Summit(FMS)」(2019年8月6日～8日、米国カリフォルニア州サンタクララコンベンションセンター)の展示会に、超高速のフラッシュメモリ「XL-FLASH(エックスエルフラッシュ ...

・ ウエスタンデジタルは、革新をさらに推進し、データセンター市場に参入して最新のNVMeベースのインフラストラクチャを実装設計するためのより多くの選択肢と柔軟性を提供。 ・ 新しいエントリーレベルのIntelliFlash N5100により、これまで以上に手頃な ...

産業向けフラッシュストレージ製品を展開するSwissbitの日本法人スイスビットジャパンは、基幹業務用アプリケーションを中心とした産業用途で利用されるSSDに向けて、データ損失を最大限に保護する電断データ保護機能「パワーセーフ」を発表し、同機能 ...

富士通株式会社は5日、ストレージシステム「FUJITSU Storage ETERNUS」シリーズにおいて、SSDを搭載したオールフラッシュアレイ「ETERNUS AF」シリーズ3機種と、HDDとSSDを合わせて搭載可能なハイブリッドストレージシステム「ETERNUS DX」シリーズの6機種をグローバル ...

キオクシアとWestern Digital(以降はWDと表記)は、共同で開発した超高速3D NANDフラッシュメモリ技術「XL-FLASH」の概要を半導体回路技術の国際学会ISSCC 2020(2020年2月16日～20日に米国サンフランシスコで開催)で2020年2月18日に公表した(講演番号13.5)。 3D NANDフラッシュ ...

SSDの技術進化が目覚ましい。Micron Technologyが手掛けるNAND型フラッシュメモリは、1つのメモリセルに3bitを格納する「TLC」（トリプルレベルセル）の記録方式を採用しつつ、メモリセルの積層数において200層を超えた。 NAND型フラッシュメモリの積層数について ...

インテリジェント・パワー・マネジメント機能とタンタルコンデンサにより、電断に対する最大限のデータ保護を保証 日本・東京、2022年4月7日 - 産業向けフラッシュストレージ製品の独立系メーカー・Swissbit（日本法人：スイスビットジャパン株式会社 ...