次世代のメモリとストレージに関する世界最大のイベント「フューチャー・メモリ・アンド・ストレージ(FMS:Future Memory and Storage)」が、2024年8月6日～8日(米国太平洋時間)に米国カリフォルニア州の「サンタクララコンベンションセンター(SCCC:Santa Clara Convention ...

キオクシアとWestern Digital(以降はWDと表記)は、共同で開発した超高速3D NANDフラッシュメモリ技術「XL-FLASH」の概要を半導体回路技術の国際学会ISSCC 2020(2020年2月16日～20日に米国サンフランシスコで開催)で2020年2月18日に公表した(講演番号13.5)。 3D NANDフラッシュ ...

Spansionは26日、都内で記者会見を開き、同社が2007年11月に初めて発表し、2008年8月にSemiconductor Manufacturing International(SMIC)に生産委託を行うことを発表した同社のNAND型フラッシュメモリ「MirrorBit ORNAND2」に関する説明を行った。 同社は独自のチャージ ...

第2回目の連載では、コンピュータ内のフラッシュメモリの使われ方について基礎を解説しました。今回は、データセンターで使われるサーバーにおけるフラッシュメモリの使われ方やサーバー自体の進化の道をたどりながら、現代のビジネスに求められる ...

NANDフラッシュ等不揮発性メモリ市場をターゲットとした3つの新製品を発表 株式会社アドバンテスト（本社:東京都千代田区社長:吉田芳明、以下「当社」）は、NANDフラッシュを含む不揮発性メモリ・デバイスのテスト・コストと設備所有コストを削減可能な3 ...

革新的なスケーリングとCMOS配置技術により、最高集積度の最先端3次元フラッシュメモリ技術を提供 東京、カリフォルニア州サンノゼ、2021年2月18日 – キオクシア株式会社とウエスタンデジタル（NASDAQ: WDC）は本日、第6世代となる162層3次元フラッシュ ...

米Pure Storage（以下、ピュア・ストレージ）は現地時間17日、オールフラッシュアレイの新機種「FlashArray//C」を発表した ...

低価格オールフラッシュアレイ、後付け可能な高速キャッシュメモリを投入 ハードウェア／フラッシュアレイ領域では、“ハイエンド”と“ローエンド”の新たなカテゴリに属するフラッシュメモリを採用して実現した新製品2つを紹介した。 まず“ハイ ...

Micronによると、同社初の232層3D NANDフラッシュメモリは、競合メモリと比較して単位面積あたりに格納されるビットの密度を2倍にし、1平方ミリメートルあたりの記憶容量は14.6Gbitに到達しています。この3D NANDフラッシュメモリを構成するチップは1辺が1cmをわずかに超える程度のサイズであり ...

～フラッシュメモリに対して低消費電力・高速の不揮発性メモリ・三次元アレイ装置～ 【従来技術の課題解決により、高性能・高信頼な半導体装置を実現】 1．FeFET ・Siチャネルでは不可避な低誘電率界面層（下図上）のない、高性能・高信頼 酸化物 ...