CAMBRIDGE, England--(BUSINESS WIRE)--Cambridge GaN Devices (CGD), the fabless, clean-tech semiconductor company that develops energy-efficient GaN-based power devices that make greener electronics ...
High-electron-mobility transistor (HEMT) devices based on gallium nitride (GaN) offer superior electrical characteristics and are a valid alternative to MOSFETs and IGBTs in high-voltage and ...
Qorvoの高性能BLDC/PMSMモーター・コントローラ/ドライバとCGDの使いやすいICeGaN ICを搭載した評価キットを開発 エネルギー効率 ...
“Wide bandgap semiconductors such as GaN and SiC are being actively considered in various motor control applications for the power density and efficiency benefits they bring. CGD’s ICeGaN technology ...
GENEVA, SWITZERLAND, March 19, 2026 /EINPresswire.com/ — STMicroelectronics’ EVSTDRVG611MC gallium-nitride (GaN) motor-control reference design for appliances and ...
The EPC9176 GaN-based inverter reference design, from EPC, has been developed to enhance motor drive system performance, range, precision and torque, while simplifying design. A 3-phase BLDC motor ...
The EPC9173 GaN-based inverter reference design enhances motor system size, performance, range, precision, torque, all while simplifying design for faster time-to-market. The extremely small size of ...
AIデータセンター・自動車・航空宇宙など市場向け分野でポートフォリオ拡充 オンセミ（onsemi／本社：米国アリゾナ州スコッツデール、CEO：ハッサーン・エルコーリー）は12月19日、GlobalFoundries（Nasdaq: GFS）（GF）と協業契約を締結し、GFの最先端200mm eMode GaN-on ...
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、最新のGaN（窒化ガリウム）技術を活用し、生活家電や産業機器のモータ駆動部における電力効率向上、高性能化、コスト削減に貢献する ...
Turnkey board and documentation cuts BOM and accelerates time to market STMicroelectronics (NYSE:STM) GENEVA, SWITZERLAND, March 19, 2026 /EINPresswire.com ...
【プレスリリース】発表日:2026年03月23日産業・IoT機器向けに、500Wの電力供給が可能なGaN電源ソリューションを発売●GaNベースの半波整流LLC（Half-Wave LLC : HWLLC）コンバータトポロジを採用●電動工具やe-Bike、モバイル機器向けの高速充電器や、高出力が必要なAC/DC電源に、電力密度とピーク効率の新たな指標を確立ルネサス エレクトロニクス株式 ...
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