H&Iグローバルリサーチ株式会社（本社：東京都中央区）は、この度、Technavio （Infiniti Research）が発行した「IGBT電源モジュールの世界市場2016-2020」調査レポートの取扱・販売をMarketReport.jpサイト（取扱レポート数：15万件以上、日本最大級）にて開始しました。

IGBTモジュールは単体素子の基礎上にICドライバーと各種ドライブ保護回路を内蔵し、より高度なパッケージング技術を採用した製品である。同モジュールは複数のIGBTチップとFRD（高速リカバリーダイオード）チップを特定の回路でパッケージングした ...

産業用LV100タイプ 1.2kV IGBTモジュール CM1800DW-24ME 三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システム向けパワー半導体モジュールの新製品として、「産業用LV100タイプ 1.2kV IGBT（※1）モジュール」のサンプル提供を2月15日に開始します。

オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、新製品となる最新の第7世代1200V QDual3絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）パワーモジュールを発表しました。新製品のパワーモジュールは、高い電力密度を提供し、市販されている他の ...

富士電機は4月17日、3モジュール分の回路を1パッケージに集約した「AT-NPC(Advanced T-type Neutral-Point-Clamped)3レベル12 in 1 IGBTモジュール」シリーズを発表した。 同社では、2010年2月に電力損失の削減が可能な「AT-NPC3レベル(新3レベル)変換回路」を開発し、2011年2月 ...

第6世代IGBTチップは、独自のキャリア蓄積効果を利用したCarrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistorを採用し、コレクタ・エミッタ間飽和電圧を従来比約15%低減する。 また、最大接合温度定格を175℃と従来より25℃向上させ、電力変換装置の小型化できる。

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today that beginning February 15 it will provide samples of its new LV100-type 1.2-kV IGBT module as an industrial-use ...