2024年11月21日に、QYResearchは「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ （IGBT） モジュール―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2024～2030」の調査資料を発表しました。本レポートは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ （IGBT ...

IGBTおよびSiCモジュールとは、電力変換・電力制御用途に用いられる高出力半導体デバイスを複数集積し、実装・冷却・絶縁・信頼性設計を含めて一体化したパワーエレクトロニクス用モジュールを指します。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは ...

2022年6月21日に、QYResearchは「グローバル高耐圧IGBTモジュールに関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。高耐圧IGBTモジュールの市場生産能力、生産量、販売量、売上 ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

2024年12月9日に、QYResearchは「車載用IGBTとSicモジュール―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2024～2030」の調査資料を発表しました。本レポートは、車載用IGBTとSicモジュールの世界市場について分析し、主に総販売量、売上、価格 ...

2024年6月6日に、QYResearchは「EV IGBTモジュールヒートシンク―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2024～2030」の調査資料を発表しました。本レポートは、EV IGBTモジュールヒートシンクの世界市場について分析し、主な総販売量、売上 ...

ドイツのInfineon Technologiesがハイブリッドカー (HEV)/電気自動車 (EV)用のIGBT (絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)モジュールの高効率化を進めている。IGBTはシリコンで最も電流容量のとれるトランジスタである。IGBTチップとダイオードを2個ずつ集積したモジュールをハーフブリッジICとして ...

onsemiは6月11日(米国時間)、同社第7世代IGBTモジュールとなる「1200V QDual3」を発表した。 同パワーモジュールは、第7世代となる「FS7(Field Stop 7)」IGBT技術をベースにして開発されたもので、1200V、800Aに対応。150kWインバータにおいて競合製品比で損失を200W少なく ...

三菱電機は、パワー半導体の新製品「IGBTモジュール Tシリーズ 産業用LV100タイプ」5品種をことし9月から発売する。 （IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor＝高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ） 同社は今回、鉄道・電力用途で広く使用されている、高い ...

DC1500V対応機器に適応、再生可能エネルギー用電力変換機器の小型化・低消費電力化に貢献 掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。 ＊製品画像は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、パワー半導体の新製 ...

第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールの系列拡大について 富士電機株式会社（代表取締役社長:北澤 通宏、本社:東京都品川区）は、大規模風力発電市場をターゲットに、第7世代「Xシリーズ」IGBT（※1）モジュールの系列を拡大し、1,700V耐圧製品のサンプル ...