・最大4GHzのISMバンド、衛星通信、航空電子機器、およびレーダーを対象としたIDCHシリーズ（出力： 8W〜300W） ・最大1.5GHzの商用 / 産業 / 科学分野の広帯域アプリケーションを対象としたIDDEシリーズ（出力： 10W〜700W） ・最大250MHzのISMバンド ...

Despite recent improvements in the performance of RF LDMOS field-effect transistors (FETs), temperature drift and aging continue to affect the efficiency and linearization of power amplifiers using ...

フリースケール・セミコンダクタ・ジャパンは3日に、WiMAX基地局用RFパワー・アンプのコスト、サイズ、そして部品数を削減する3種類の高出力LDMOS RFIC「MW7IC2725N」「MW7IC2750N」「MW7IC3825N」の3タイプを発表した。 「MW7IC2725N」「MW7IC2750N」は2.3〜2.7GHz、「MW7IC3825N ...

2015年7月16日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。 中国、上海（モバイル・ワールド・コングレス上海）－フリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、最新の2つのブロードバンドRFパワー・アンプ、Airfast AFIC901N LDMOS RF統合デバイスとAFT05MS003N LDMOS ...

・最大4GHzのISMバンド、衛星通信、航空電子機器、およびレーダーを対象としたIDCHシリーズ（出力:8W～300W） ・最大1.5GHzの ...

・本合意により、STのRFパワー市場への対応範囲が拡大 ・高い完成度と実績を備えるLDMOS技術は、無線インフラ、産業・科学・医療機器、航空電子機器、レーダー、およびセルラー通信以外の無線機器に最適 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的 ...

Austin, Tex. — Freescale Semiconductor has released seven LDMOS RF power transistors that are said to deliver exceptional performance and enable WCDMA and CDMA2000 base station transmitters to exploit ...

Freescale Semiconductor today introduced two LDMOS RF power transistors that allow wireless base station amplifiers to cover all channels in an entire allocated frequency band. The high-efficiency ...

50V LDMOSパワー・トランジスタ2種は、高い破壊耐性を実現しており、プラズマ発生器やCO 2 レーザー、MRIパワーアンプなどのインピーダンス不整合アプリケーションの過酷な条件をサポートすることが可能。

現在のアンプ・システムは、多くの場合、運用するビデオ帯域幅が20MHz～40MHzに制約され、各チャネルで個別のパワー・アンプが必要とされているが、ワイヤレス・データ・トラフィックの増加に伴い、アンプ・システムを拡張してワイヤレス周波数帯域全体をカバーしようとする傾向が強まっている。

詳解車載ネットワーク CAN、CAN FD、LIN、CXPI、Ethernetの仕組みと設計のために NCプログラムの基礎〜マシニングセンタ編 上巻 金属加工シリーズ フライス加工の基礎 上巻 ...