Intelが2024年4月18日、アメリカ・オレゴン州ヒルズボロの研究開発拠点で、業界初となる商用高開口数(NA)極端紫外線(EUV)リソグラフィの組み立てを完了したと発表しました。このEUVリソグラフィはオランダの半導体装置大手・ASML製であり、1.4nmプロセスに相当 ...

リソグラフィ（Lithography）は、半導体製造プロセスにおける核心的な技術であり、微細構造をウエハー上に転写するための方法です。この技術は、トランジスタの微細化、回路の高密度化、性能の向上に欠かせません。 本記事では、リソグラフィの基礎から ...

株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるレジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎から最新技術まで、第一人者の講師からなる「レジスト、リソ ...

2ナノメートル世代以降のEUVリソグラフィ向けフォトマスク 大日本印刷株式会社（本社:東京 代表取締役社長:北島義斉 以下:DNP）は、半導体製造の最先端プロセスのEUV（Extreme Ultra-Violet：極端紫外線）リソグラフィに対応した、2ナノメートル（nm：10-9m）世代 ...

EUV（極端紫外線）リソグラフィのさらなる高精度化について EUV（Extreme Ultraviolet：極端紫外線）リソグラフィは、最先端の半導体製造技術であり、半導体の微細化を進めるために不可欠な技術です。現在、ナノメートルレベルの集積回路を作るために使用さ ...

大日本印刷（DNP）は10日、マルチ電子ビームを使うマスク描画装置を利用し、現在の半導体製造の最先端プロセスであるEUV（極端紫外線）リソグラフィに対応する、5㎚プロセス相当のフォトマスク製造プロセスを開発したと発表した。 EUVリソグラフィ向け5nm ...

「半導体集積回路の密度が2年ごとに倍増する」という半導体のイノベーションの成長速度を予測した「ムーアの法則」は、近いうちに終焉を迎えると言われています。この法則を提唱したIntelの創業者の1人であるゴードン・ムーア氏も「トランジスタが原子 ...