前回、こちらの記事で、半導体とダイオードまでをまとめた。 【電子回路】バイポーラートランジスタ（BJT）・MOSFET トランジスタにはNPN型とPNP型の2つがある。 BJTは電流駆動型で、小さなベース電流でコレクターからエミッターへの大き kazulog.fun 今回は ...

Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功しました。MOSFETは基本的なパワーデバイスの1つであり、今回の ...

酸化金ハーフ電界効果トランジスタ(MOSFET)と絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のゲートドライバ市場の最新動向と将来予測を徹底解説！ YH Research株式会社（東京都中央区）は、最新の調査レポート「グローバル酸化金ハーフ電界効果トランジスタ(MOSFET ...

Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功しました。MOSFETは基本的なパワーデバイスの1つであり、今回の ...

Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功しました。MOSFETは基本的なパワーデバイスの1つであり、今回の ...

産業技術総合研究所(産総研)は、同所先進パワーエレクトロニクス研究センター SiCパワーデバイスチームの原田信介氏らのグループは、富士電機との共同研究で、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1200V(ボルト)耐電圧(耐圧)クラスのトランジスタである縦型MOSFET ...

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【部門長 伊藤 順司】は、独立した二つのゲートで4端子駆動動作をするデバイス技術を、次世代トランジスタとして期待されるダブルゲートMOSFETで ...

オランダNXP Semiconductor N.V.は，pnpトランジスタとnチャネルのトレンチ型MOSFETを小型パッケージに収めたIC「PBSM5240PF」を発売した。nチャネルMOSFETで，pnpトランジスタを駆動するといった使い方に向ける。パッケージは，外形寸法が2mm×2mm×0.65mmの6端子SOT1118である ...