東京大学は12月6日、三菱電機、東芝デバイス＆ストレージ、東京工業大学、明治大学、九州大学、九州工業大学と共同で、基板の裏面にもMOSゲート部を有する「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」(IGBT)を両面リソグラフィプロセスを用いて試作 ...

ここで上側のP型MOSトランジスタは入力が接続されたゲート電極が0Vになると導通(ON)し、ゲート電極がVdd(電源電圧)になると非導通(OFF)になる。下側のN型MOSトランジスタはその逆で、ゲート電極がVddになると導通し、0Vになると非導通になる。つまり、入力が0V ...

半導体デバイスの信頼性技術に関する世界最大の国際会議「国際信頼性物理シンポジウム(IRPS:International Reliability Physics Symposium)」(IRPS 2015)が4月19日に米国カリフォルニア州モントレーで始まった。メインイベントである技術講演の会期は4月21日～23日、会場は ...

The National Institute for Advanced Industrial Science and Technology (AIST, President: Hiroyuki Yoshikawa) and Tohoku University (President: Takashi Yoshimoto) have succeeded in manufacturing a ...

－ソフトな中性粒子ビーム技術で30％の性能向上、技術世代32ナノメートルも可能に－ 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【部門長 和田 敏美】先端シリコンデバイスグループ 遠藤 ...

“酸化ガリウム（Ga2O3）MOSトランジスタ”を世界で初めて実現！ ～日本発、“革新的次世代半導体パワーデバイス”の実用化に道～ 独立行政法人情報通信研究機構（理事長：坂内 正夫）は、株式会社タムラ製作所（代表取締役社長：田村 直樹）、株式会社 ...