The article presents a synthesis method to design electrical circuit elements with fractional-order impedance, referred to as a Fractional-Order Element (FOE) or Fractor, that can be implemented by ...

The National Institute for Advanced Industrial Science and Technology (AIST, President: Hiroyuki Yoshikawa) and Tohoku University (President: Takashi Yoshimoto) have succeeded in manufacturing a ...

In this work, we demonstrate the design and room temperature operation of FETs based on a tunnel-contacted (TC) MoS 2 channel. The tunnel barrier insulating layer is implemented by an ultra-thin ...

産業技術総合研究所(産総研)と東京都立大学(都立大)は2月10日、「三テルル化二アンチモン(Sb 2 Te 3)」/「二硫化モリブデン(MoS 2)」のファンデルワールス界面の作製に成功し、「n型MoS 2 トランジスタ」の性能向上に貢献する接触界面抵抗の低減(低コンタクト ...

IRPSは1962年以来、毎年春に開催されてきた。50年を超える歴史と伝統の国際学会である。2009年～2012年の開催規模を振り返ると、発表を目指して投稿された論文(アブストラクト論文)の数(投稿論文数)は2009年が272件、2010年が264件と250件を超えていたのに対し ...

“酸化ガリウム（Ga2O3）MOSトランジスタ”を世界で初めて実現！ ～日本発、“革新的次世代半導体パワーデバイス”の実用化に道～ 独立行政法人情報通信研究機構（理事長：坂内 正夫）は、株式会社タムラ製作所（代表取締役社長：田村 直樹）、株式会社 ...

－電流方向にひずみをかけ電子移動度を2.2倍に改善－ 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）次世代半導体研究センター【センター長 廣瀬 全孝】と技術研究組合 超先端電子技術開発機構【理事長 西田 厚聰 ...

東京大学は12月6日、三菱電機、東芝デバイス＆ストレージ、東京工業大学、明治大学、九州大学、九州工業大学と共同で、基板の裏面にもMOSゲート部を有する「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」(IGBT)を両面リソグラフィプロセスを用いて試作 ...

デンソーは、世界トップクラスの低オン抵抗を実現した、パワー半導体「SJ MOS（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor） トランジスタ」を、半導体・電子部品メーカーである新日本無線にライセンス供与すると発表した。 デンソーが開発したSJ MOS トランジスタは ...