ロームは、4端子パッケージであるTO-247-4Lに封止したSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET「SCT3xxx xRシリーズ」を発売した。ソース端子をパワーソース端子とドライバーソース端子の2つに分けたうえで、ゲート端子とドレイン端子と合わせて4端子構成とした。従来の3端子パッケージ封止品では、ソース ...

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、電力効率とスイッチング速度において非常に優れた半導体デバイスです。特に、スイッチングアプリケーションにおいて、MOSFETの特性が非常に重要な役割を果たします。この技術を最大限に活用するためには ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

高温度下でも極めて低いスイッチング損失、高効率で優れた堅牢性を提供 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク(本社:米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ:LFUS)の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社:東京都港区）は ...

東芝デバイス＆ストレージは、電源回路から発生する放射電磁雑音（EMI）を低減できる＋40V耐圧のパワーMOSFETに低オン抵抗品を追加した（ニュースリリース）。同社従来品のオン抵抗は1.2mΩ（ゲート-ソース間電圧が＋10Vのときの最大値）だったが、新製品で ...

私がパワーエレクトロニクス研究室に配属されて、最も理解が困難だったのがzero volt switching (ZVS)およびソフトスイッチングでした。ZVS動作で代表的なDABコンバータの関連論文で学位を取得しましたが、今でも完全に半導体のスイッチング動作を理解している ...

ビシェイ社、MAACPAK PressFitパッケージ採用の1200 V SiC MOSFETパワーモジュールを発表、効率と信頼性を向上 中〜高周波アプリケーション向け、低背型デバイスがスペースを節約しながら寄生インダクタンスを低減、よりクリーンなスイッチングを実現 ビシェイ ...

ローム株式会社(本社：京都市)は、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源に最適な「1200V 第4世代SiC MOSFET(※1)」を開発しました。 パワー半導体には、オン抵抗を低減すると短絡耐量時間(※2)が短くなるという ...

新電元工業は2024年3月27日(水)14:00からオンラインセミナー「回路設計者のためのMOSFET教室～動作原理からひも解く数々の専門用語～」を開催いたします。 このセミナーでは、スイッチング電源やインバータなど、現在のパワーエレクトロニクスでは欠かせ ...

ロームは、4端子パッケージであるTO-247-4Lに封止したSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET「SCT3xxx xRシリーズ」を発売した（ニュースリリース）。ソース端子をパワーソース端子とドライバーソース端子の2つに分けたうえで、ゲート端子とドレイン端子と合わせて4 ...

図2は、電力段PCB設計での部品のリードや最適化されていないレイアウトに起因する寄生インダクタンスと寄生容量を示しています。これらのPCB寄生成分が電圧リンギングを発生させ、結果としてMOSFETに電圧ストレスがかかります。 リンギングの原因の1つは ...

産業技術総合研究所(産総研)は5月31日、SiC耐電圧1.2kVクラスのSiC縦型MOSFETと、SiC CMOSで構成された駆動回路を1チップに集積した「SiCモノリシックパワーIC」のスイッチング動作を実証することに成功したと発表した。 同成果は、産総研 先進パワー ...