ソニーによるSWIR検出波長を備えたGe-on-Si SPADセンサ Paper #8.1, “10μm Pitch Ge-on-Si SPAD Pixel Array with PDE of 33.8% at 1300nm and 23.3% at 1550nm under Room Temperature Environment(室温環境下における10μmピッチGe-on-Si ...
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