インフィニオンは、次世代AIプロセッサ向けにTLVR技術を統合したの4相パワーモジュール「TDM24745T」を発表した。高電流密度と高速過渡応答を両立することで、AIアクセラレーターの性能向上と省エネ化を下支えする狙いだ。
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NGK パワー半導体モジュール向け基板 文科大臣表彰で科学技術賞
NGK(旧日本ガイシ、本社名古屋市)のパワー半導体モジュール向け窒化ケイ素製絶縁放熱回路基板が、2026年度の文部科学省による科学技術分野の文部科学大臣表彰で科学技術賞(開発部門)を受賞した。
ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...
NGK株式会社(社長:小林茂、本社:名古屋市)のパワー半導体モジュール向けの窒化ケイ素製絶縁放熱回路基板が本日、令和8年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰の科学技術賞(開発部門)を受賞しました。
2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率(CAGR)13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...
YH Research株式会社(本社:東京都中央区)は調査レポート「グローバル車載用SiCパワーモジュールのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2024」を5月14日に発行しました。本レポートでは、車載用SiCパワーモジュール市場の製品定義、分類、用途、企業 ...
高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス&ストレージ株式会社と株式会社東芝(以下、東芝グループ)は、SiC(炭化ケイ素) MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...
高速スイッチング動作時のノイズ低減により低損失化を達成 国立研究開発法人 産業技術総合研究所(以下「産総研」という)先進パワーエレクトロニクス研究センター 八尾惇 主任研究員、佐藤弘 研究チーム長、岡本光央 研究チーム長は、株式会社 明電舎 ...
YH Research株式会社(本社:東京都中央区)は調査レポート「グローバルフルSiCパワーモジュールのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2024」を5月15日に発行しました。本レポートでは、フルSiCパワーモジュール市場の製品定義、分類、用途、企業、産業 ...
TI、新しいパワーモジュール向け磁気部品内蔵パッケージングテクノロジーを開発、電源ソリューションのサイズを半分に削減 MagPack(TM)テクノロジーを採用した新しいパワーモジュールは、前世代製品と比べて最大50%小型化され、優れた放熱特性を維持し ...
電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発 ~「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、 熱抵抗を21%低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献~ 概要 当社は、絶縁 ...
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