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高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を 高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワー ...

・ SiC CMOS駆動回路を内蔵したパワーモジュールによるモーター駆動を実現 ・ 開発した独自の駆動方法でノイズを低減し、モーターシステムの信頼性向上に寄与 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス ...

三菱電機株式会社は、鉄道車両・直流送電などの大型産業機器向け耐電圧1.7kVパワー半導体モジュールの新製品として、「HVIGBT（※1）モジュールS1シリーズ」の2製品を12月26日に発売します。独自のIGBT素子と絶縁構造の採用により、信頼性向上および電力 ...

【プレスリリース】発表日:2025年12月25日AI/IoTを実現するモジュール/デバイスの市場を調査― 2035年の世界市場予測（2024年比） ―■LPWAモジュール Licensed 2兆580億円（31.8%増）　Unlicensed 1兆190億円（2.1倍）　コンシューマー用途では家電やホームIoT機器で需要が増加、　産業用途では省人化や防災・減災といった観点で搭載が増え ...

産業技術総合研究所(産総研)は、明電舎と共同で、SiC CMOS駆動回路を内蔵したSiCパワーモジュール(SiC CMOSパワーモジュール)によるモーター駆動を世界で初めて実現したと3月12日に発表。高速スイッチング動作時のノイズ低減により、低損失化を達成したとし ...

株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せるパワーデバイス での課題解決ニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「パワーデバイス 」講座を開講 ...

本セミナーの募集は終了いたしました。現在募集中のセミナーは、日経BPセミナーナビ（日経BPのセミナー総合サイト）からご覧いただけます。 このセミナーは会場にお越しいただく来場型セミナーです。 来場型セミナーでの感染症予防対策については ...

Realized motor drive by power module with built-in SiC CMOS gate driver The unique gate drive method reduces noise and contributes to improved reliability of the motor system. Energy loss during ...

リンクはコピーされました。 文字サイズ小さくなりました 高速スイッチング動作時のノイズ低減により低損失化を達成 ポイント ・ SiC CMOS駆動回路を内蔵したパワーモジュールによるモーター駆動を実現 ・ 開発した独自の駆動方法でノイズを低減し ...

三菱電機の漆間啓社長 CEOは、「2023年4月から、半導体・デバイス事業本部を社長直轄の事業本部とした。半導体デバイスの安定的な供給によって、各BA(ビジネスエリア)の成長を支えることを目指す。同時に、パワーデバイスへの戦略的な投資により、成長を ...