NXP、RFパワーの設計を迅速化する新しい65V LDMOS技術を発表 使いやすさに優れた新MRFXシリーズと同フラッグシップ製品の1800Wトランジスタ RFパワーのリーダー企業であるNXP Semiconductors N.V.は、最大65Vまでの電源電圧に対応する新LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide ...
プレスリリース発表元企業：フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社 寿命による劣化なしに制御可能なRFエネルギーを実現する革新的なソリッド・ステートRF加熱製品 2014年10月6日米国Freescale Semiconductor, Ltd.発表本文の抄訳です。 フリースケール ...
2015年5月19日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。 アリゾナ州フェニックス（2015 International Microwave Symposium）－2015年5月19日－フリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、初のセルラー基地局向けGaN（窒化ガリウム）RFパワー・トランジスタを ...
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