SiCパワー半導体向け6インチ単結晶基板の量産を開始 昭和電工株式会社（社長:高橋 秀仁）は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハー（以下、SiCエピウェハー）（＊1）の材料である、6インチ（150mm）のSiC単結晶基板（以下、SiC ...

パワー半導体に世代交代の波が押し寄せている。電気自動車（EV）を中心に、電力損失が小さい次世代材料のシリコンカーバイド（SiC）が2025年ごろから普及していく。EVへの採用で量産効果によってコストが下がり、再生可能エネルギーや産業機器、データ ...

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