ロジック半導体の性能向上の鍵となるトランジスタ材料を開発 −2次元材料MoS2と層状Sb2Te3での低コンタクト抵抗の実現− ＜ポイント＞ スパッタリング法で、原子レベルで制御されたSb2Te3層状物質を形成 MoS2との異種層状物質界面(ファンデルワールス ...

2025年(今年)は「FET(Field Effect Transistor: 電界効果トランジスタ)」が誕生してから100周年に当たるという。トランジスタと言えば、1947年12月に通称「ベル研」、厳密には「ベル電話研究所(BTL: Bell ...

・スパッタリング法で、原子レベルで制御されたSb2Te3層状物質を形成 ・MoS2との異種層状物質界面(ファンデルワールス界面)形成で低コンタクト抵抗を実現 ・耐熱性があり量産も見込め、次世代CMOSデバイスの実現に貢献 概 要 国立研究開発法人 産業技術総合 ...

Intelは、45nmプロセスによる低消費電力版SoC技術を開発し、その概要をIEDM 2008で発表した(講演番号27.4)。x86互換の低消費電力プロセッサ「Atom」をベースにしたCPUコアを内蔵するSoCなどに向けたものとみられる。 Intelは2008年に、同社としては初めてのx86互換CPU ...

1974年のAltair8800から、AppleII/PET 2001/TRS80のパソコン御三家（米国ではホームコンピュータと呼ばれることが多かった）、国内では、ベーシックマスター（日立）、MZ-80K（シャープ）、PC-8001（NEC）といった8bit BASICマシン（当時まだマイコンという呼び名が残っ ...

世界初のプログラム内蔵型トランジスタコンピュータの作製 戦後始まった日本におけるコンピュータ開発。産総研は発明されたばかりのトランジスタにいち早く目をつけ、新部署を創設してトランジスタコンピュータの開発に着手した。その成果は世界初の ...

電気信号を増幅したり、電気信号によって電流のオン・オフを制御したりするための素子がトランジスタです。トランジスタは論理回路を組み立てるために必要な部品で、今日のコンピューターの進化はトランジスタの進歩と共にあるといっても過言では ...

概要図 GAA構造トランジスタ試作に対応したパイロットラインの構築 概要 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）助成事業の元、国内 ...

トランジスタはスイッチとして動作する。その性能を最高に高めるには、主としてドライブ電流の最大化とキャパシタンスおよび抵抗の低減を通じてスイッチング遅延を減らすことに力点が置かれる。 たとえばFinFETトランジスタでは、フィンの高さ ...