GaN HEMTの放熱効率を高めるダイヤモンド膜の形成に成功 発熱量を40%低減し、レーダーシステムの小型化が可能に 富士通株式会社（以下、富士通）と株式会社富士通研究所（注1）（以下、富士通研究所）は、気象レーダーなどのパワーアンプ（増幅器）に ...

エネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発し、環境に優しいエレクトロニクスを実現するファブレスの ...

ローム株式会社（以下、ローム）は、サーバーやACアダプターなど幅広い電源システムに最適な、650V耐圧GaN（ガリウムナイトライド：窒化ガリウム）HEMT(*1)「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」の量産を開始しました。 新製品は、Delta Electronics, Inc. （以下、デルタ ...

ロームは、600Vクラスの高耐圧GaN HEMT駆動に適した絶縁ゲートドライバIC「BM6GD11BFJ-LB」を開発したことを発表した。 同社はこれまで、シリコン半導体やSiC向け絶縁ゲートドライバICを手掛けてきたが、今回、それらの開発で培ったノウハウを生かす形でGaN ...

高性能デバイスとして注目が高まるGaNパワー半導体(GaN HEMT)。高耐圧・低損失であり、省エネ化や高効率化が期待できる上、従来のシリコン(Si)製の半導体では実現できなかった大電力を扱う用途に適しているため、GaN HEMTは電源業界のゲームチェンジャーに ...

STマイクロエレクトロニクス、GaN HEMTとゲート･ドライバを集積したSiPに最大200W/500Wで性能と価値を高めた新製品を追加 *2023 ...

サーバーやACアダプターなど幅広い電源システムの高効率化・小型化に最適 ローム株式会社（以下、ローム）は、サーバーやACアダプターなど幅広い電源システムに最適な、650V耐圧GaN（ガリウムナイトライド：窒化ガリウム）HEMT(*1)「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z ...

米カリフォルニア州ミルピタス--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ）-- Teledyne e2v HiRelは、GaN Systemsの技術に基づいた業界をリードする650ボルトの大電力製品ファミリーに新たに2種類のラギダイズGaNパワーHEMT（高電子移動度トランジスタ）を追加します。 この2 ...

富士通と富士通研究所は10日、気象レーダーなどのパワーアンプに適用可能な窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor :HEMT)(GaN HEMT)において、大電流化と高電圧化を同時に達成する結晶構造を開発したと発表。マイクロ波帯の送信用 ...

富士通研究所は6月23日(米国時間)、米国ペンシルバニア州立大学にて開催されている国際会議「DRC(Device Research Conference) 2009」において、新構造のGaN HEMTの開発に成功したことを明らかにした。これに併せて、同社は都内で記者説明会を開催、同技術の解説を ...

旭化成は名古屋大学の須田淳教授・天野浩教授らと共同で、窒化アルミニウム（AIN）基板を使った窒化ガリウム（GaN）の高電子移動度トランジスタ（HEMT）において従来比2倍以上の高耐圧や低抵抗化を実証した。次世代通信規格「6G」をはじめとする通信 ...

経産省は6月、半導体戦略を発表した。GaN（窒化ガリウム）など新素材の研究開発に補助金を出す方針を打ち出しており、開発加速が期待されるGaNパワー半導体に注目だ。 ―脱炭素のキーパーツとして存在感、政府の半導体戦略で開発・設備投資を支援 ...